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SVF4N65RF	文件：300 bytes Page：1 Pages	平面高压MOS功率管 SVF4N65RD/M/MJ/F/T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量.\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 4A，650V，RDS(on)（典型值）=2.3Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力;	Silan 士兰微	Silan
SVF4N65T	文件：1.09026 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.09026 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SVS4N65F	文件：1.06952 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.06952 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SW4N65	文件：775.92 Kbytes Page：7 Pages	N-channel MOSFET (TO-220F , TO-220) 文件：775.92 Kbytes 页数：7 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER

技术参数

Status：
MP
Type：
N
Process：
F-cell
Configuration：
Single
Popular Application：
High Voltage
ESD Diode：
NO
Schottky Diode：
NO
Schottky Type：
NO
Package：
TO-220F-3L
VGS：
30
ID @25℃：
2~4
PD @25℃：
4
RDS[ON]@VGS=10v：
30
VGS[th]：
2.70
Ciss：
440.00
Crss：
4.00
Qg：
12.50
Qgd：
6.25
Td[on]：
10.20
Td[off]：
24.70

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SVF4N65RF供应商更新时间2025-11-17 14:45:00

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