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SVF2N65MJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	F-CellTM系列高压MOSFET SVF2N65F/MJ/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 2A，650V，RDS(on)(典型值)=4.3Ω@VGS=10V\n• 低反向传输电容\n• 提升了dv/dt 能力;	Silan 士兰微	Silan
SW2N65	文件：755.53 Kbytes Page：7 Pages	N-channel MOSFET 文件：755.53 Kbytes 页数：7 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER
SW2N65D	文件：649.64 Kbytes Page：6 Pages	N-channel Enhanced mode TO-220FMOSFET 文件：649.64 Kbytes 页数：6 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER
SW2N65K	文件：805.25 Kbytes Page：6 Pages	N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252 MOSFET 文件：805.25 Kbytes 页数：6 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER

技术参数

Status：
MP
Type：
N
Process：
F-cell
Configuration：
Single
Popular Application：
High Voltage
ESD Diode：
NO
Schottky Diode：
NO
Schottky Type：
NO
Package：
TO-251J-3L
VGS：
30
ID @25℃：
2~4
PD @25℃：
2
RDS[ON]@VGS=10v：
38
VGS[th]：
4.80
Ciss：
233.00
Crss：
3.10
Qg：
8.59
Qgd：
4.70
Td[on]：
9.00
Td[off]：
23.10

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