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SVF2N65D

F-CellTM系列高压MOSFET

SVF2N65F/MJ/D  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。 • 2A,650V,RDS(on)(典型值)=4.3Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

SVF2N65D

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.08794 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SW2N65

N-channel MOSFET

文件:755.53 Kbytes 页数:7 Pages

SEMIPOWER

芯派科技

SW2N65D

N-channel Enhanced mode TO-220FMOSFET

文件:649.64 Kbytes 页数:6 Pages

SEMIPOWER

芯派科技

SW2N65K

N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252 MOSFET

文件:805.25 Kbytes 页数:6 Pages

SEMIPOWER

芯派科技

技术参数

  • Status:

    MP

  • Type:

    N

  • Process:

    F-cell

  • Configuration:

    Single

  • Popular Application:

    High Voltage

  • ESD Diode:

    NO

  • Schottky Diode:

    NO

  • Schottky Type:

    NO

  • Package:

    TO-252-2L

  • VGS:

    30

  • ID @25℃:

    2~4

  • PD @25℃:

    2

  • RDS[ON]@VGS=10v:

    36

  • VGS[th]:

    4.80

  • Ciss:

    233.00

  • Crss:

    3.10

  • Qg:

    8.59

  • Qgd:

    4.70

  • Td[on]:

    9.00

  • Td[off]:

    23.10

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士兰微
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更多SVF2N65D供应商 更新时间2025-10-10 17:49:00