N沟道增强型场效应管

SVF2N60CN/M/MJ/F/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 2A，600V，RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

N沟道增强型场效应管

SVF2N60CN/M/MJ/F/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 2A，600V，RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.7999 Mbytes 页数：5 Pages

DOINGTER

杜因特

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.08793 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

This power MOSFET is produced in CHMC with advanced VDMOS technology of SAMWIN.

文件：510.09 Kbytes 页数：6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商