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SUD45P03-09-GE3

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS= -30V, ID= -100A RDS(ON)

文件:1.05604 Mbytes 页数:4 Pages

Bychip

百域芯

SUD45P03-09

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:159.93 Kbytes 页数:8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUD45P03-09

丝印:DPAK;Package:TO-252;isc P-Channel MOSFET Transistor

文件:308.5 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

SUD45P03-09-GE3

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:921.85 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SUD45P03-10

P-Channel 30-V 150C MOSFET

文件:41.58 Kbytes 页数:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUD45P03-10

P-Channel 30-V (D-S), MOSFET

文件:108.61 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUD45P03-10_08

P-Channel 30-V (D-S), MOSFET

文件:108.61 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUD45P03-10-E3

P-Channel 30-V (D-S), MOSFET

文件:108.61 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUD45P03-10-E3

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:921.81 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SUD45P03-15

P-Channel 30-V (D-S), 150C MOSFET

文件:72.4 Kbytes 页数:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

详细参数

  • 型号:

    SUD45P03

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH D-S 30V DPAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    TrenchFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SUD45P03供应商 更新时间2025-11-4 14:14:00