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P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= -30V, ID= -100A RDS(ON) 文件:1.05604 Mbytes 页数:4 Pages  | Bychip 百域芯  | Bychip  | ||
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详细参数
- 型号:
SUD45P03
 - 功能描述:
MOSFET P-CH D-S 30V DPAK
 - RoHS:
是
 - 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
 - 系列:
TrenchFET®
 - 标准包装:
1,000
 - 系列:
MESH OVERLAY™ FET
 - 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
 - 特点:
逻辑电平门
 - 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
 - C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
 - C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
 - Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
 - Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
 - Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
 - 最大:
40W
 - 安装类型:
通孔
 - 封装/外壳:
TO-220-3 整包
 - 供应商设备封装:
TO-220FP
 - 包装:
管件
 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
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