SUB75N06-08资料datasheet下载贸易商Vishay-114ic电子网

首页 >SUB75N06>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
SUB75N06-07L	文件：45.93 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUB75N06-08	文件：47.33 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUB75N06-08	文件：72.2 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Transistors	TemicTEMIC 杰驰电子	Temic
SUB75N06-12L	文件：77.8 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
75N06	文件：65.68 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
75N06	文件：1.27408 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
75N06G	文件：1.2731 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEB75N06	文件：330.39 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,87A,RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEB75N06	文件：695.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,87A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB75N06G	文件：646.25 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,75A,RDS(ON)=13mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB75N06G	文件：424.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,75A,RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP75N06	文件：330.39 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,87A,RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP75N06	文件：695.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,87A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP75N06G	文件：646.25 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,75A,RDS(ON)=13mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP75N06G	文件：1.71031 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEP75N06G	文件：424.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,75A,RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CJU75N06	文件：1.13418 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CJU75N06	文件：1.56294 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
FIR75N06PG	文件：4.05956 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FTK75N06D	文件：459.79 Kbytes Page：4 Pages	60V/75AN-ChannelPowerMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS

12 3 >>>

详细参数

型号：
SUB75N06
功能描述：
MOSFET 60V 75A 250W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	SUB75N06-08	VISHAY/威世	2024+实力库存	TO-263	20000	只做原厂渠道可追溯货源	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	SUB75N06-08	威世	23+	TO-263	3260	绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购!	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	SUB75N06-08	VISHAY	23+	TO-263	19567		询价
深圳市一线半导体有限公司	SUB75N06-08	SILICONIX		TO263	600		询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	SUB75N06-08	SILICONIX	2020+	TO263	6000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
上海鑫科润电子科技有限公司	SUB75N06-08	SILICONIX	1998	TO263	300	原装现货海量库存欢迎咨询	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	SUB75N06-08	VISHAY	1715+	SOP	251156	只做原装正品现货假一赔十!	询价
深圳市华来深电子有限公司	SUB75N06-08	VISHAY	23+	TO263	8560	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
深圳兆威电子有限公司	SUB75N06-08	VB	2019	TO-263	55000	绝对原装正品假一罚十!	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	SUB75N06-08	VISHAY	2020+	TO263	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价

更多SUB75N06供应商更新时间2024-6-22 9:24:00

详细参数

相关规格书

相关库存