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STW6NC90Z	文件：243.81 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-Protected PowerMESH?줚II MOSFET DESCRIPTION ThethirdgenerationofMESHOVERLAY™PowerMOSFETsforveryhighvoltageexhibitsunsurpassedon-resistanceperunitareawhileintegratingback-to-backZenerdiodesbetweengateand source.SucharrangementgivesextraESDcapabilitywithhigherruggednessperformanceasrequeste	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW6NC90Z	文件：351.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STB6NC90Z	文件：532.81 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL900V-1.55ohm-5.4ATO-220/FP/D짼PAK/I짼PAKZener-ProtectedPowerMESH?줚IIMOSFET DESCRIPTION ThethirdgenerationofMESHOVERLAY™PowerMOSFETsforveryhighvoltageexhibitsunsurpassedon-resistanceperunitareawhileintegratingback-tobackZenerdiodesbetweengateandsource.SucharrangementgivesextraESDcapabilitywithhigherruggednessperformanceasrequestedby	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP6NC90Z	文件：532.81 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL900V-1.55ohm-5.4ATO-220/FP/D짼PAK/I짼PAKZener-ProtectedPowerMESH?줚IIMOSFET DESCRIPTION ThethirdgenerationofMESHOVERLAY™PowerMOSFETsforveryhighvoltageexhibitsunsurpassedon-resistanceperunitareawhileintegratingback-tobackZenerdiodesbetweengateandsource.SucharrangementgivesextraESDcapabilitywithhigherruggednessperformanceasrequestedby	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP6NC90ZFP	文件：532.81 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL900V-1.55ohm-5.4ATO-220/FP/D짼PAK/I짼PAKZener-ProtectedPowerMESH?줚IIMOSFET DESCRIPTION ThethirdgenerationofMESHOVERLAY™PowerMOSFETsforveryhighvoltageexhibitsunsurpassedon-resistanceperunitareawhileintegratingback-tobackZenerdiodesbetweengateandsource.SucharrangementgivesextraESDcapabilitywithhigherruggednessperformanceasrequestedby	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW6NC90	文件：243.81 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL900V-2.1ohm-5.2ATO-247Zener-ProtectedPowerMESH?줚IIMOSFET DESCRIPTION ThethirdgenerationofMESHOVERLAY™PowerMOSFETsforveryhighvoltageexhibitsunsurpassedon-resistanceperunitareawhileintegratingback-to-backZenerdiodesbetweengateand source.SucharrangementgivesextraESDcapabilitywithhigherruggednessperformanceasrequeste	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STW6NC90Z
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

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