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STW43NM60ND中文资料N-channel 600 V, 0.075 Ohm typ., 35 A FDmesh(TM) Power MOSFET (with fast diode) in a TO-247 package数据手册ST规格书
STW43NM60ND规格书详情
描述 Description
The FDmesh™ II series belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout and associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode.It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters.
特性 Features
The worldwide best R
DS(on)*area amongst the fast recovery diode devices
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Extremely high dv/dt and avalanche capabilities.
技术参数
- 型号：
STW43NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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