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STU12L01	文件：171.39 Kbytes Page：7 Pages	Super high dense cell design for low RDS(ON). STU412S TO-252 Single-N STU420S TO-252 Single-N STU442S TO-252 Single-N STU410S TO-252 Single-N STU456A TO-252 Single-N STU456S TO-252 Single-N STU448S TO-252 Single-N STU466S TO-252 Single-N STU446S TO-252 Single N STU432L TO-252 Single N STU438A TO-252 Single-N STU458S TO-252 Single N 文件：171.39 Kbytes 页数：7 Pages	Samhop 三合微科	Samhop
STU12L01	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfets	Samhop 三合微科	Samhop
STD12L01	文件：979.01 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：979.01 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD12L01	文件：97.24 Kbytes Page：7 Pages	Super high dense cell design for low RDS(ON). STU412S TO-252 Single-N STU420S TO-252 Single-N STU442S TO-252 Single-N STU410S TO-252 Single-N STU456A TO-252 Single-N STU456S TO-252 Single-N STU448S TO-252 Single-N STU466S TO-252 Single-N STU446S TO-252 Single N STU432L TO-252 Single N STU438A TO-252 Single-N STU458S TO-252 Single N 文件：97.24 Kbytes 页数：7 Pages	Samhop 三合微科	Samhop
STD12L01A	文件：1.86796 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.86796 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

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