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STTH1506DPI

Tandem 600V HYPERFAST BOOST DIODE

文件:72.02 Kbytes 页数:5 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STTH1506DPI

ThinkiSemi 15A,600V(2x300V) Dual Tandem Structure Ultra Fast Recovery Rectifiers

文件:5.40392 Mbytes 页数:5 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

STTH1506D

600 V、15 A 2引线串联超高速升压二极管

The TURBOSWITCH “H” is an ultra high performance diode composed of two 300V dice in series. TURBOSWITCH “H” family drastically cuts losses in the associated MOSFET when run at high dIF/dt. • PACKAGE CAPACITANCE: C=16pF \n• ESPECIALLY SUITED AS BOOST DIODE IN CONTINUOUS MODE POWER FACTOR CORRECTORS AND HARD SWITCHING CONDITIONS \n• INTERNAL CERAMIC INSULATED DEVICES WITH EQUAL THERMAL CONDITIONS FOR BOTH 300V DIODES \n• DESIGNED FOR HIGH DI/DT OPERATION. HYPERFAST RECOVERY CURRENT TO C;

ST

意法半导体

STTH1506DPI

Package:DOP3I-2 绝缘(直引线);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 600V 15A DOP3I

STMICROELECTRONICS

意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    STTH1506DPI

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    15A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DOP3I-2 绝缘(直引线)

  • 供应商器件封装:

    DOP3I

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 15A DOP3I

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更多STTH1506D供应商 更新时间2025-11-17 18:57:00