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STQ2HNK60ZR-AP中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STQ2HNK60ZR-AP
厂商型号

STQ2HNK60ZR-AP

功能描述

N-channel 600V - 4.4廓 - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET

文件大小

497.26 Kbytes

页面数量

16

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 14:14:00

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STQ2HNK60ZR-AP规格书详情

Description

The SuperMESH™ series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established stripbased PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding application.

Such series complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.

General features

■ Gate charge minimized

■ 100 avalanche tested

■ Extremely high dv/dt capability

■ ESD improved capability

■ New high voltage benchmark

Applications

■ Switching application

产品属性

  • 型号:

    STQ2HNK60ZR-AP

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    SuperMESH™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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