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STP80NE03L	文件：87.94 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMosfetisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique”SingleFeatureSize”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalancecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP80NE03L-06	文件：87.94 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMosfetisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique”SingleFeatureSize”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalancecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP80NE06-10	文件：92.66 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSGS-THOMSONunique”SingleFeatureSize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkable	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP80NE06-10	文件：998.2 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
STP80NE
功能描述：
MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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