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STP55NF06FP	文件：485.18 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220FP/I PAK/D짼PAK STripFET??II POWER MOSFET Description ThesePowerMOSFETshavebeendevelopedusingSTMicroelectronics’uniqueSTripFETprocess,whichisspecificallydesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Thisrendersthedevicessuitableforuseasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDC-DCconvertersfo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP55NF06FP	文件：543.12 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 60V - 0.015廓 - 50A - D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FP STripFET??II Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP55NF06FP	文件：1.4866 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
55NF06	文件：797.49 Kbytes Page：19 Pages	N-channel60V,0.015Ω,50ASTripFET™IIPowerMOSFETinD²PAK,TO-220andTO-220FPpackages Description ThesePowerMOSFETshavebeendeveloped usingSTMicroelectronics’uniqueSTripFET process,whichisspecificallydesignedto minimizeinputcapacitanceandgatecharge.This rendersthedevicessuitableforuseasprimary switchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDCDCconverter	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
B55NF06	文件：337.38 Kbytes Page：15 Pages	N-channel60V-0.014廓-55ATO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET??IIPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
B55NF06	文件：543.12 Kbytes Page：18 Pages	N-channel60V-0.015廓-50A-D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FPSTripFET??IIPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
D55NF06	文件：334.62 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETTRANSISTOR	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
F55NF06	文件：334.62 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETTRANSISTOR	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
P55NF06	文件：334.62 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETTRANSISTOR	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
P55NF06	文件：979.17 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P55NF06	文件：320.22 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·AuotmobileConvertSystem ·NetworkingDC-DCPowerSystem	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
P55NF06FP	文件：797.49 Kbytes Page：19 Pages	N-channel60V,0.015Ω,50ASTripFET™IIPowerMOSFETinD²PAK,TO-220andTO-220FPpackages Description ThesePowerMOSFETshavebeendeveloped usingSTMicroelectronics’uniqueSTripFET process,whichisspecificallydesignedto minimizeinputcapacitanceandgatecharge.This rendersthedevicessuitableforuseasprimary switchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDCDCconverter	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
P55NF06L	文件：337.38 Kbytes Page：15 Pages	N-channel60V-0.014廓-55ATO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET??IIPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB55NF06	文件：317.1 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STB55NF06	文件：988.8 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB55NF06	文件：797.49 Kbytes Page：19 Pages	N-channel60V,0.015Ω,50ASTripFET™IIPowerMOSFETinD²PAK,TO-220andTO-220FPpackages Description ThesePowerMOSFETshavebeendeveloped usingSTMicroelectronics’uniqueSTripFET process,whichisspecificallydesignedto minimizeinputcapacitanceandgatecharge.This rendersthedevicessuitableforuseasprimary switchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDCDCconverter	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB55NF06	文件：485.18 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL60V-0.015ohm-50ATO-220/TO-220FP/IPAK/D짼PAKSTripFET??IIPOWERMOSFET Description ThesePowerMOSFETshavebeendevelopedusingSTMicroelectronics’uniqueSTripFETprocess,whichisspecificallydesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Thisrendersthedevicessuitableforuseasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDC-DCconvertersfo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB55NF06L	文件：986.01 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB55NF06L	文件：454.71 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL60V-0.014ohm-55ATO-220/FP/D2PAK/I2PAKSTripFET?줚IPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisPowerMosfetisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique“SingleFeatureSize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalancecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB55NF06L	文件：337.38 Kbytes Page：15 Pages	N-channel60V-0.014廓-55ATO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET??IIPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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详细参数

型号：
STP55NF06F
功能描述：
MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STP55NF06F供应商更新时间2024-6-20 11:13:00

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