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STP32NM50N中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STP32NM50N
厂商型号

STP32NM50N

功能描述

N-channel 500 V, 0.1 廓 typ., 22 A MDmesh??II Power MOSFET in D짼PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packages

文件大小

1.17424 Mbytes

页面数量

21

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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STP32NM50N规格书详情

描述 Description

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

特性 Features

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Applications

■ Switching applications

产品属性

  • 型号:

    STP32NM50N

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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