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STP24N65M2	文件：1.18431 Mbytes Page：20 Pages	Extremely low gate charge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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STL24N65M2	文件：869.04 Kbytes Page：15 Pages	N-channel650V,0.205typ.,14AMDmeshM2PowerMOSFETinaPowerFLATTM8x8HVpackage Features Extremelylowgatecharge Excellentoutputcapacitance(Coss)profile 100avalanchetested Zener-protected Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingMDmesh™M2technology. Thankstoitsstriplayoutandimprovedvertical structure,thedevices	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

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