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STN1NC60	文件：255.95 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SOT-223 PowerMesh?줚I MOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=12	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
D1NC60	文件：280.62 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL600V-7ohm-1.4A-DPAK/IPAKPowerMesh?줚IMOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=7	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD1NC60	文件：280.62 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL600V-7ohm-1.4A-DPAK/IPAKPowerMesh?줚IMOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=7	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD1NC60	文件：1.088 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STQ1NC60R	文件：426.45 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL600V-12ohm-0.3ATO-92PowerMESH?줚IPowerMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™IIprocess,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)per	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STS1NC60	文件：272.6 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL600V-12ohm-0.3A-SO-8PowerMESH?줚IMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STN1NC60
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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