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STN1NC60中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STN1NC60
厂商型号

STN1NC60

功能描述

N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SOT-223 PowerMesh?줚I MOSFET

文件大小

255.95 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-2 19:10:00

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STN1NC60规格书详情

DESCRIPTION

The PowerMESH™II is the evolution of the first generation of MESH OVERLAY™. The layout refinements introduced greatly improve the Ron*area figure of merit while keeping the device at the leading edge for what concerns swithing speed, gate charge and ruggedness.

■ TYPICAL RDS(on) = 12Ω

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK

■ GATE CHARGE MINIMIZED

APPLICATIONS

■ AC ADAPTORS AND BATTERY CHARGERS

■ SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

产品属性

  • 型号:

    STN1NC60

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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