| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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STTO-247 |
19700 |
2019 |
INFINEON品牌专业原装优质 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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STTO247-4 |
12500 |
23+ |
ST系列在售,可接长单 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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ST/意法TO-247 |
20 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
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ST/意法货真价实,假一罚十 |
25000 |
TO-3P |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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ST/意法TO-247 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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STMicroelectronicsTO-247-4 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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STTO-247 |
40 |
10+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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ST/意法NA |
64584 |
21+ |
全新原装现货 支持免费送样! |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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ST/意法TO-247 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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STTO-247 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法TO-247 |
94552 |
22+ |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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STTO247 |
2512 |
23+ |
原厂原装正品 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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STTO-247 |
2500 |
17+ |
原装现货热卖 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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ST/意法TO-247 |
23180 |
21+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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STTO-247 |
6852 |
1926+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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STTO-3P |
2200 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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NA |
401 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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ST(意法)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ST/意法NA/ |
478 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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ST/意法TO-247 |
20 |
11+ |
STGW5采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
STGW5图片
STGW50HF60SD价格
STGW50HF60SD价格：￥14.7396品牌：STMICROELECTRONICS
生产厂家品牌为STMICROELECTRONICS的STGW50HF60SD多少钱，想知道STGW50HF60SD价格是多少？参考价：￥14.7396。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，STGW50HF60SD批发价格及采购报价，STGW50HF60SD销售排行榜及行情走势，STGW50HF60SD报价。
STGW50H65F中文资料Alldatasheet PDF
更多STGW50H60DF功能描述:IGBT 晶体管 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
STGW50HF60S功能描述:IGBT 晶体管 60A 600V Very Low Drop IGBT 600Vces RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
STGW50HF60SD功能描述:IGBT 晶体管 60A 600V Very Low Drop IGBT 600Vces RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
STGW50NB60H功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
STGW50NB60M制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT
STGW50NC60W功能描述:IGBT 晶体管 Ultra fast series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
