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STGP20M65DF2分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
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| 厂商型号 |
STGP20M65DF2 |
| 参数属性 | STGP20M65DF2 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT TRENCH 650V 40A TO220 |
| 功能描述 | Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, M series low-loss IGBT |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TO-220 / TO-220-3 |
| 文件大小 |
520.21 Kbytes |
| 页面数量 |
16 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-23 22:59:00 |
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STGP20M65DF2规格书详情
STGP20M65DF2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGP20M65DF2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
Features
• High short-circuit withstand time
• VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A
• Tight parameters distribution
• Safer paralleling
• Low thermal resistance
• Soft and very fast recovery antiparallel diode
Applications
• Motor control
• UPS
• PFC
• General-purpose inverters
Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop
structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal
balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and
the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat)
temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling
operation.
产品属性
更多- 产品编号：
STGP20M65DF2
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
M
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，20A
- 开关能量：
140µJ（开），560µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
26ns/108ns
- 测试条件：
400V，20A，12 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
IGBT TRENCH 650V 40A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220 |
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23+ |
TO-220 |
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STMicroelectronics |
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TO-220-3 |
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ST/意法 |
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ST |
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ST/意法 |
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TO-220 |
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