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STGF5H60DF	文件：872.71 Kbytes Page：30 Pages	Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfield-stop structure.ThedevicesarepartoftheHseriesof IGBTs,whichrepresentanoptimumcompromise betweenconductionandswitchinglossesto maximizetheefficiencyofhighswitching frequen	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGF5H60DF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GUR5H60	文件：53.26 Kbytes Page：3 Pages	UltrafastRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
GUR5H60	文件：143.14 Kbytes Page：5 Pages	UltrafastRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
GURB5H60	文件：143.14 Kbytes Page：5 Pages	UltrafastRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
GURB5H60	文件：53.26 Kbytes Page：3 Pages	UltrafastRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
GURB5H60	文件：251.56 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRecoveryDiode FEATURES ·UltrafastRecoveryTime ·LowRorwardRoltage,HighEfficiency ·LowLeakage ·IdealForDiodeModulationAndSecondary DC/DCOutputRectification APPLICATIONS ·Switchingpowersupply ·Powerswitchingcircuits	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
GURF5H60	文件：143.14 Kbytes Page：5 Pages	UltrafastRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
GURF5H60	文件：53.26 Kbytes Page：3 Pages	UltrafastRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MAN5H60	文件：210.12 Kbytes Page：5 Pages	13mm(0.512inch)OneDigitNUMERICFRAMEDISPLAY FEATURES •BrightBoldSegments •CommonAnode/Cathode •LowPowerConsumption •LowCurrentCapability •NeutralSegments •GreyFace •EpoxyEncapsulatedFrame •HighPerformance •HighReliability APPLICATIONS •Appliances •Automotive •Instrumentation •ProcessControl	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MBR5H60AFC	文件：167.84 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountUltraLowIRSchottkyBarrierRectifier Features Lowleakagecurrent Idealforautomatedplacement Lowpowerloss,highefficiency Highsurgecurrentcapability LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR5H60AFC-AU	文件：168.08 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountUltraLowIRSchottkyBarrierRectifier Features Lowleakagecurrent Idealforautomatedplacement Lowpowerloss,highefficiency Highsurgecurrentcapability AEC-Q101qualified LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
STGB5H60DF	文件：872.71 Kbytes Page：30 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries600V,5Ahighspeed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfield-stop structure.ThedevicesarepartoftheHseriesof IGBTs,whichrepresentanoptimumcompromise betweenconductionandswitchinglossesto maximizetheefficiencyofhighswitching frequen	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGD5H60DF	文件：872.71 Kbytes Page：30 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries600V,5Ahighspeed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfield-stop structure.ThedevicesarepartoftheHseriesof IGBTs,whichrepresentanoptimumcompromise betweenconductionandswitchinglossesto maximizetheefficiencyofhighswitching frequen	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP5H60DF	文件：872.71 Kbytes Page：30 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries600V,5Ahighspeed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfield-stop structure.ThedevicesarepartoftheHseriesof IGBTs,whichrepresentanoptimumcompromise betweenconductionandswitchinglossesto maximizetheefficiencyofhighswitching frequen	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGF5H60DF
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.95V @ 15V，5A
开关能量：
56µJ（开），78.5µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/140ns
测试条件：
400V，5A，47 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220FP
描述：
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

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