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STGF20M65DF2	文件：531.31 Kbytes Page：16 Pages	Trench gate field-stop, M series, 650 V, 20 A, low-loss IGBT Features •Highshort-circuitwithstandtime •VCE(sat)=1.55V(typ.)@IC=20A •Tightparameterdistribution •Saferparalleling •Lowthermalresistance •Softandveryfastrecoveryantiparalleldiode Applications •Motorcontrol •UPS •PFC •General-purposeinverters Desc	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGF20M65DF2	文件：398.65 Kbytes Page：6 Pages	Trench gate Field-Stop IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.55V@IC=15A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·Lowthermalresistance APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·MotorDrives ·UPS,PFC ·Generalpurposeinverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STGF20M65DF2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP20M65DF2	文件：520.21 Kbytes Page：16 Pages	Trenchgatefield-stop,650V,20A,Mserieslow-lossIGBT Features •Highshort-circuitwithstandtime •VCE(sat)=1.55V(typ.)@IC=20A •Tightparametersdistribution •Saferparalleling •Lowthermalresistance •Softandveryfastrecoveryantiparalleldiode Applications •Motorcontrol •UPS •PFC •General-purposeinverters Des	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGF20M65DF2
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
M
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，20A
开关能量：
140µJ（开），560µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
26ns/108ns
测试条件：
400V，20A，12 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220FP
描述：
IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP

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