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STG719CTR	文件：137.88 Kbytes Page：10 Pages	LOW VOLTAGE 4廓 SPDT SWITCH	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
719	文件：43.52 Kbytes Page：1 Pages	The717&719seriesfiltersprovidesuperiorwidebandfilteringforWyeorDeltapowerconfigurations.	JMKJMK Inc. JMK Inc.	JMK
719	文件：470.28 Kbytes Page：2 Pages	WihaQualityToolsTollFree:(800)494-6104	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
ACE719E	文件：733.42 Kbytes Page：10 Pages	3W,0.85VStartupVoltage,SynchronousStep-UpConverterwithReal-ShutdownandShort-CircuitProtection	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACHS-719X	文件：1.00648 Mbytes Page：19 Pages	FullyIntegrated,Hall-EffectBasedLinearCurrentSensorICwith3kVRMSIsolationandaLow-ResistanceCurrentConductor Description TheBroadcom®ACHS-719x(±10Ato±50A)fullyintegrated Hall-effectbasedisolatedlinearcurrentsensorsare designedforACorDCcurrentsensinginindustrial, commercial,andcommunicationssystems.Insideeach ACHS-719xICisaprecise,low-offset,linearHallcircuitwith a	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
ADG719	文件：117.31 Kbytes Page：8 Pages	CMOSLowVoltage4ohmSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG719isamonolithicCMOSSPDTswitch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. TheADG719canoperatefromasingle-supplyrangeof1.8Vto5.5V,ma	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG719BRM	文件：117.31 Kbytes Page：8 Pages	CMOSLowVoltage4ohmSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG719isamonolithicCMOSSPDTswitch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. TheADG719canoperatefromasingle-supplyrangeof1.8Vto5.5V,ma	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG719BRM	文件：232.85 Kbytes Page：16 Pages	CMOS1.8Vto5.5V,2.5廓2:1Mux/SPDTSwitchinSOT-23	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG719BRM-REEL	文件：232.85 Kbytes Page：16 Pages	CMOS1.8Vto5.5V,2.5廓2:1Mux/SPDTSwitchinSOT-23	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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ADG719BRMZ-REEL	文件：232.85 Kbytes Page：16 Pages	CMOS1.8Vto5.5V,2.5廓2:1Mux/SPDTSwitchinSOT-23	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG719BRT	文件：117.31 Kbytes Page：8 Pages	CMOSLowVoltage4ohmSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG719isamonolithicCMOSSPDTswitch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. TheADG719canoperatefromasingle-supplyrangeof1.8Vto5.5V,ma	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG719BRT-REEL	文件：232.85 Kbytes Page：16 Pages	CMOS1.8Vto5.5V,2.5廓2:1Mux/SPDTSwitchinSOT-23	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG719BRTZ-REEL	文件：232.85 Kbytes Page：16 Pages	CMOS1.8Vto5.5V,2.5廓2:1Mux/SPDTSwitchinSOT-23	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG719-EP	文件：271.76 Kbytes Page：12 Pages	CMOS1.8Vto5.5V,2.5廓2:1Mux/SPDTSwitchinSOT-23 GENERALDESCRIPTION TheADG719-EPisamonolithicCMOSSPDTswitch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. TheADG719-EPcanoperatefromasingle-supplyrangeof1.8Vto5.5	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AN719	文件：593.99 Kbytes Page：2 Pages	PRECISION32??MCUDEVELOPMENTKITQUICK-STARTGUIDE PRECISION32™MCUDEVELOPMENTKITQUICK-STARTGUIDEFORKITSFEATURINGTHEUNIFIEDDEVELOPMENTPLATFORM(UDP) ThePrecision32™MCUDevelopmentKitsareavailableinalowcostDevelopmentKitandafullyfeaturedEnhancedDevelopmentKit.Kitcontentsaredescribedbelow.Alldevelopmentkitsc	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司	SILABS
AN719	文件：4.03834 Mbytes Page：40 Pages	PRECISION32??IDEANDAPPBUILDERDETAILEDTUTORIALANDWALKTHROUGH PRECISION32™MCUDEVELOPMENTKITQUICK-STARTGUIDEFORKITSFEATURINGTHEUNIFIEDDEVELOPMENTPLATFORM(UDP) ThePrecision32™MCUDevelopmentKitsareavailableinalowcostDevelopmentKitandafullyfeaturedEnhancedDevelopmentKit.Kitcontentsaredescribedbelow.Alldevelopmentkitsc	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司	SILABS
AP719	文件：175.82 Kbytes Page：2 Pages	10TO700MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
BD719	文件：103.6 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=40@IC=0.5A •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) •ComplementtotypeBD720 APPLICATIONS •Designedforuseinaudiooutputandgeneralpurposeamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD719	文件：129.63 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=40@IC=0.5A •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) •ComplementtotypeBD720 APPLICATIONS •Designedforuseinaudiooutputandgeneralpurposeamplifierapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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详细参数

型号：
STG719CTR
功能描述：
模拟开关 IC Low Voltage 4OHM
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
开关数量：
2
开关配置：
SPDT
开启电阻（最大值）：
0.1 Ohms
工作电源电压：
2.7 V to 4.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DSBGA-16

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