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STF8NM60N	文件：492.5 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 600 V - 0.56 廓 - 7 A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK second generation MDmesh??Power MOSFET Description ThisseriesofdevicesimplementssecondgenerationMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretotheCompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemandingh	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF8NM60N	文件：706.65 Kbytes Page：19 Pages	N-channel 600 V, 0.56 廓,7 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF8NM60ND	文件：727.53 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 600 V, 0.59 , 7 A, FDmesh II Power MOSFET Description TheFDmesh™IIseriesbelongstothesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedonresistanceandfastswitchingwithanintrinsicfastrecoverybody	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF8NM60ND	文件：310.85 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
8NM60	文件：238.7 Kbytes Page：7 Pages	8.0A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC8NM60isahighvoltagesuperjunctionMOSFET andisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfast switchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhave ahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETis usuallyusedathighspeedswitching	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
8NM60ND	文件：1.10575 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P8NM60	文件：558.91 Kbytes Page：18 Pages	N-channel650V@Tjmax,0.9Ω,8AMDmesh™PowerMOSFETTO-220,TO-220FP,D2PAK,DPAK,IPAK Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryPower MOSFETtechnologythatassociatesthemultiple drainprocesswiththecompany’sPowerMESH™ horizontallayout.Theresultingproducthasan outstandinglowon-resistance,impressivelyhigh dv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.The	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
P8NM60D	文件：1.10714 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P8NM60N	文件：1.10581 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB8NM60	文件：313.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STB8NM60	文件：1.10877 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB8NM60	文件：489.18 Kbytes Page：16 Pages	N-CHANNEL650VTjmax-0.9ohm-8ATO-220/FP/D/IPAK/D2PAKSTripFETIIMOSFET Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryPowerMOSFETtechnologythatassociatesthemultipledrainprocesswiththecompany’sPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.Theadopt	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB8NM60D	文件：1.10877 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB8NM60D	文件：735.3 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL600V-0.9廓-8A-TO-220/D2PAKFastDiodeMDmesh??PowerMOSFET Description TheFDmesh™associatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybodydiode.Itisthereforestronglyrecommendedforbridgetopologies,inparticularZVSphase-shiftconverters Generalfeatures ■Highdv/dtandavalanchecapabilities	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB8NM60N	文件：706.65 Kbytes Page：19 Pages	N-channel600V,0.56廓,7AMDmesh??IIPowerMOSFETTO-220,TO-220FP,IPAK,DPAK,D2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD8NM60N	文件：706.65 Kbytes Page：19 Pages	N-channel600V,0.56廓,7AMDmesh??IIPowerMOSFETTO-220,TO-220FP,IPAK,DPAK,D2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD8NM60N	文件：492.5 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V-0.56廓-7A-TO-220-TO-220FP-IPAK-DPAKsecondgenerationMDmesh??PowerMOSFET Description ThisseriesofdevicesimplementssecondgenerationMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretotheCompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemandingh	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD8NM60ND	文件：727.53 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V,0.59,7A,FDmeshIIPowerMOSFET Description TheFDmesh™IIseriesbelongstothesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedonresistanceandfastswitchingwithanintrinsicfastrecoverybody	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD8NM60ND	文件：324.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP8NM60	文件：558.91 Kbytes Page：18 Pages	N-channel650V@Tjmax,0.9Ω,8AMDmesh™PowerMOSFETTO-220,TO-220FP,D2PAK,DPAK,IPAK Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryPower MOSFETtechnologythatassociatesthemultiple drainprocesswiththecompany’sPowerMESH™ horizontallayout.Theresultingproducthasan outstandinglowon-resistance,impressivelyhigh dv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.The	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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详细参数

型号：
STF8NM60N
功能描述：
MOSFET NCh 250V 0.14Ohm 17A Pwr MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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