isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 950V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

Switching applications

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N沟道950 V、0.65 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP封装

这款N-沟道稳压保护功率MOSFETs采用ST革命性的耐雪崩、超高压SuperMESH™ 5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。 • 全球出色的品质因数（FoM） \n• 极低的栅极电荷 \n• 经过100％雪崩测试 \n• 稳压保护;

ST

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 950V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 950V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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