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STE38NB50F	文件：89.49 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL 500V - 0.11 ohm - 38A - ISOTOP PowerMESH MOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STE38NB50	文件：382.83 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL500V-0.11Q-38A-ISOTOP N-CHANNEL500V-0.11Ω-38A-ISOTOPPowerMESH™MOSFET ■TYPICALRDS(on)=0.11Ω ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■±30VGATETOSOURCEVOLTAGERATING ■100AVALANCHETESTED ■LOWINTRINSICCAPACITANCE ■GATECHARGEMINIMIZED ■REDUCEDVOLTAGESPREAD APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HI	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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N-CHANNEL500V-0.11Ω-38A-ISOTOPPowerMESH™MOSFET ■TYPICALRDS(on)=0.11Ω ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■±30VGATETOSOURCEVOLTAGERATING ■100AVALANCHETESTED ■LOWINTRINSICCAPACITANCE ■GATECHARGEMINIMIZED ■REDUCEDVOLTAGESPREAD APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HI

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