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26N90	文件：118.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Appl	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFK26N90	文件：118.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Appl	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFK26N90	文件：329.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFN26N90	文件：122.25 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowtrrFastIntrinsicDiode Features ●Internationalstandardpackage ●miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation ●LowRDS(ON)HDMOSTMprocess ●AvalancheRated ●Lowpackageinductance ●Fastintrinsicdiode Advantages ●Lowgate	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN26N90	文件：141.35 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowtrrFastIntrinsicDiode Features ●Internationalstandardpackage ●miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation ●LowRDS(ON)HDMOSTMprocess ●AvalancheRated ●Lowpackageinductance ●Fastintrinsicdiode Advantages ●Lowgate	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN-26N90	文件：144.36 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETTMPowerMOSFETsSingleDieMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFX26N90	文件：367.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFX26N90	文件：118.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Appl	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STE26N90供应商更新时间2024-6-18 18:41:00

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