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STD80N4F6	文件：1.43706 Mbytes Page：18 Pages	N-channel 40 V, 5.5 m typ., 80 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in DPAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD80N4F6	文件：1.25587 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
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详细参数

型号：
STD80N4F
功能描述：
MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多STD80N4F供应商更新时间2025-5-13 20:05:00

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