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STD5N20LT4	文件：273.98 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL 200V - 0.65廓 - 5A DPAK STripFET??MOSFET DESCRIPTION TheSTD5N20LutilizesthelatestadvanceddesignrulesofST’sproprietarySTripFET™technology.ThisissuitableforthemostdemandingDCMotorControlandlightingapplication. GeneralFeatures ■TYPICALRDS(on)=0.65Ω@5V ■CONDUCTIONLOSSESREDUCED ■LOWINPUTCAPACIA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD5N20LT4	文件：1.64678 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STD5N20LT4-TP	文件：2.08128 Mbytes Page：5 Pages	Marking：TPM2007NK3；Package：TO-252-3L；200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Vos=200V,lp=5.5A Ros(on)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

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STD5N20LT4

文件：273.98 Kbytes

Page：10 Pages

N-CHANNEL 200V - 0.65廓 - 5A DPAK STripFET??MOSFET

DESCRIPTION TheSTD5N20LutilizesthelatestadvanceddesignrulesofST’sproprietarySTripFET™technology.ThisissuitableforthemostdemandingDCMotorControlandlightingapplication. GeneralFeatures ■TYPICALRDS(on)=0.65Ω@5V ■CONDUCTIONLOSSESREDUCED ■LOWINPUTCAPACIA

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

STD5N20LT4

文件：1.64678 Mbytes

Page：10 Pages

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

STD5N20LT4-TP

文件：2.08128 Mbytes

Page：5 Pages

Marking：TPM2007NK3；Package：TO-252-3L；200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features Vos=200V,lp=5.5A Ros(on)

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

TECHPUBLIC

详细参数

型号：
STD5N20LT4
功能描述：
MOSFET N-Ch 200 Volt 5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STD5N20LT4供应商更新时间2025-5-9 16:36:00

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