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STD130N4F6AG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive-grade N-channel 40 V, 3.0 mOhm typ., 80 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on)in all packages.\n • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified\n• Very low on-resistance\n• Very low gate charge• High avalanche ruggedness\n• Low gate drive power loss;	ST 意法半导体	ST
STD130N4F6AG	文件：811.56 Kbytes Page：16 Pages	Very low gate charge 文件：811.56 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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STD140N6F7	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST TO-252-3	ST 上传：深圳市励创源科技有限公司	ST
STD1501	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST SOP-8	ST 上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	ST

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更多STD130N4F6AG供应商更新时间2025-10-4 14:14:00