Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)

PRODUCT SUMMARY (N-Channel) VDSS ID RDS(ON) (mΩ) Max 100V 2.0A 216 @ VGS=10V 328 @ VGS=4.5V PRODUCT SUMMARY (P-Channel) VDSS ID RDS(ON) (mΩ) Max -100V -1.3A 547 @ VGS=-10V 614 @ VGS=-4.5V

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Samhop

三合微科

Mosfets

Samhop

三合微科

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

Super high dense cell design for low RDS(ON).

文件：116.21 Kbytes 页数：8 Pages

Samhop

三合微科

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

VZ : 2.7 - 200 Volts PD : 2 Watts FEATURES : * Complete Voltage Range 2.7 to 200 Volts * High peak reverse power dissipation * High reliability * Low leakage current * Pb / RoHS Free

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EIC