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STB25NF06LAG	文件：859.22 Kbytes Page：15 Pages	丝印：25NF06L；Package：D2PAK；Automotive-grade N-channel 60 V, 53 mΩ typ., 20 A STripFET™ II Power MOSFET in a D²PAK package Features AEC-Q101qualified Exceptionaldv/dtcapability 100avalanchetested Lowgatecharge Applications Switchingapplications Description ThisPowerMOSFETseriesrealizedwith STMicroelectronicsuniqueSTripFET™process isspecificallydesignedtominimizeinput capac	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB25NF06AG	文件：817.74 Kbytes Page：15 Pages	Automotive-gradeN-channel60V,0.056Ωtyp.,19ASTripFET™IIPowerMOSFETinaD²PAKpackage Features Designedforautomotiveapplicationsand AEC-Q101qualified 100avalanchetested Application-orientedcharacterization Applications Switchingapplications Description ThisPowerMOSFETseriesrealizedwith STMicroelectronicsuniqueSTripFET™process isspecificallyd	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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丝印：25NF06L；Package：D2PAK；Automotive-grade N-channel 60 V, 53 mΩ typ., 20 A STripFET™ II Power MOSFET in a D²PAK package

Features AEC-Q101qualified Exceptionaldv/dtcapability 100avalanchetested Lowgatecharge Applications Switchingapplications Description ThisPowerMOSFETseriesrealizedwith STMicroelectronicsuniqueSTripFET™process isspecificallydesignedtominimizeinput capac

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Automotive-gradeN-channel60V,0.056Ωtyp.,19ASTripFET™IIPowerMOSFETinaD²PAKpackage

Features Designedforautomotiveapplicationsand AEC-Q101qualified 100avalanchetested Application-orientedcharacterization Applications Switchingapplications Description ThisPowerMOSFETseriesrealizedwith STMicroelectronicsuniqueSTripFET™process isspecificallyd

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