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STB11NM60N-1规格书详情
Description
This series of devices is designed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
STB11NM60N-1
- 功能描述：
MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST意法半导体 |
24+23+ |
TO-262 |
12580 |
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ST |
23+ |
D2PAK |
33500 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
询价 | ||
STM |
22+ |
NA |
30000 |
100%全新原装 假一赔十 |
询价 | ||
ST |
20+ |
TO-262 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST |
2020+ |
SOT-263 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
ST |
2016+ |
TO220 |
6528 |
只做进口原装现货!假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST |
18+ |
TO-263 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
ST |
22+23+ |
TO263 |
75848 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
STMicro. |
23+ |
D2PAK |
7750 |
全新原装优势 |
询价 |
