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ST50V10100	文件：325.51 Kbytes Page：7 Pages	RF Power LDMOS transistor for frequencies up to 1.5 GHz Features •Highefficiencyandlineargainoperations •IntegratedESDprotection •Largepositiveandnegativegate/sourcevoltagerange •IncompliancewiththeEuropeanDirective2002/95/EC Description TheST50V10100isacommonsourceN-channelenhancement-modelateralfield effectRF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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ST50V10100

文件：325.51 Kbytes

Page：7 Pages

RF Power LDMOS transistor for frequencies up to 1.5 GHz

Features •Highefficiencyandlineargainoperations •IntegratedESDprotection •Largepositiveandnegativegate/sourcevoltagerange •IncompliancewiththeEuropeanDirective2002/95/EC Description TheST50V10100isacommonsourceN-channelenhancement-modelateralfield effectRF

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意法半导体意法半导体（ST）集团

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更多ST50V10100供应商更新时间2024-5-1 10:10:00

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