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ST3413A	文件：267.88 Kbytes Page：7 Pages	P Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION ST3413A is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are 文件：267.88 Kbytes 页数：7 Pages	STANSON 司坦森	STANSON
ST3413A	文件：1.03845 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：1.03845 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ST3413A_V2	文件：267.88 Kbytes Page：7 Pages	P Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：267.88 Kbytes 页数：7 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
ST3413A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Tranch MOSFET	Stanson 司坦森	Stanson

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更多ST3413A供应商更新时间2025-10-4 14:14:00