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ST2319SRG	文件：500.93 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ST2319SRG	文件：229.22 Kbytes Page：8 Pages	ST2319SRG is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology.	STANSONStanson Technology Stanson 科技	STANSON
2319	文件：116.22 Kbytes Page：1 Pages	NylonHoseClamps	Heyco Heyco	Heyco
2319B-TACHG	文件：8.73467 Mbytes Page：116 Pages	HowtoUseThisCatalog	AAVIDAavid Thermalloy, LLC 爱美达（上海）爱美达（上海）热能系统有限公司	AAVID
2319B-TACHG	文件：8.73467 Mbytes Page：116 Pages	Channelstyleheatsinkwithfoldedbackfins Channelstyleheatsinkwithfoldedbackfinsforincreasedcoolingsurfacearea.Availablewithtinplatedsolderabletabsforeasyattachmenttotheprintedcircuitcard.	AAVIDAavid Thermalloy, LLC 爱美达（上海）爱美达（上海）热能系统有限公司	AAVID
2319-P	文件：116.22 Kbytes Page：1 Pages	NylonHoseClamps	Heyco Heyco	Heyco
2319-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
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2319-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
AM2319	文件：533.4 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DESCRIPTION AM2319isavailableinaSOT-23Spackage. FEATURES -40V/-3A, RDS(ON)=80mΩ(max.)@VGS=-10V RDS(ON)=120mΩ(max.)@VGS=-4.5V ReliableandRugged LeadFreeandGreenDevicesAvailable (RoHSCompliant) AvailableinaSOT-23Spackage. APPLICATION LoadSwitch. 	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM2319A	文件：597.97 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET FEATURES FastSwitching 1.8VLowgatedriveapplications Improveddv/dtcapability 20V/4.2A, RDS(ON)ON)=35mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON)ON)=43mΩ(Typ)@VGS=4.5V RDS(ON)ON)=57mΩ(Typ)@VGS=2.5V RDS(ON)ON)=80mΩ(Typ)@VGS=1.8V ReliableandRugged	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM2319P	文件：292.16 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelLogicLevelMOSFET P-ChannelLogicLevelMOSFET TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeHighCellDensityprocess.LowrDS(on)assuresminimalpowerlossandconservesenergy,makingthisdeviceidealforuseinpowermanagementcircuitry.Typicalapplicationsarevoltagecontrolsmallsignalswitch,power	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AMS2319	文件：343.96 Kbytes Page：8 Pages	SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON)	AMSAdvanced Monolithic Systems 艾迈斯艾迈斯半导体	AMS
AN2319	文件：70.47 Kbytes Page：8 Pages	Usingthe64-bitUIDincontactlessRFIDapplications	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
AP2319GN-HF	文件：105.1 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallPackageOutline	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
C-2319	文件：118.99 Kbytes Page：2 Pages	InsulKrimp??FullyInsulatedPiggybackQuickDisconnect,Tab6.35mm(.250)by0.81mm(.032),10-12AWG,BlueInsulator,Tape	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
CM2319	文件：218.38 Kbytes Page：1 Pages	T-13/4Bi-PinBase(.125) T-13/4Bi-PinBase(.125)	CMLCML CML	CML
CM2319	文件：220.86 Kbytes Page：1 Pages	T-13/4Bi-PinBase(.125)	CMLCML CML	CML

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详细参数

型号：
ST2319SRG
制造商：
STANSON
制造商全称：
STANSON
功能描述：
ST2319SRG is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology.

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市坤融电子科技有限公司	ST2319SRG	STANSON	2022+	SOT23	5000	原厂授权代理价格绝对优势	询价
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