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ST13007DFP	文件：300 bytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR • FULLY CHARACTERIZED AT 125 °C\n• VERY HIGH SWITCHING SPEED\n• FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING\n• IMPROVED SPECIFICATION:LOWER LEAKAGE CURRENT TIGHTER GAIN RANGE DC CURRENT GAIN PRESELECTIONTIGHTERSTORAGE TIME RANGE \n• INTEGRATED FREE-WHEELING DIODE• HIGH VOLTAGE CAPABIL;	ST 意法半导体	ST
ST13007DFP	文件：222.57 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure to enhance switching speeds. ■ IMPROVED SPECIFICATION: - LOWER LEAKAGE CURRENT - TIGHTER GAIN RANGE 文件：222.57 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
ST13007DFP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 8A TO-220FP	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
ST13007FP	文件：68.05 Kbytes Page：6 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability. They use a Cellular Emitter structure to enhance switching speeds. ■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY ■ NPN TRANSISTOR ■ LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS ■ 文件：68.05 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
ST13007N	文件：75.47 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability. They use a Cellular Emitter structure to enhance switching speeds ■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY ■ NPN TRANSISTOR ■ LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS ■ 文件：75.47 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
ST13007NFP	文件：75.47 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability. They use a Cellular Emitter structure to enhance switching speeds ■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY ■ NPN TRANSISTOR ■ LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS ■ 文件：75.47 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
ST13007DFP
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 2A，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
8 @ 5A，5V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220FP
描述：
TRANS NPN 400V 8A TO-220FP

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