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3N100	文件：148.75 Kbytes Page：1 Pages	NPN/PNPDUALEMITTERCHOPPERBI-POLARTRANSISTORS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
3N100E	文件：206.35 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET3.0AMPERES1000VOLTSRDS(on)=4.0OHM ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesigna	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
3N100E	文件：262.24 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET3.0AMPERES1000VOLTS TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminations	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
AOT3N100	文件：305.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT3N100	文件：99.8 Kbytes Page：1 Pages	TO220PACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT3N100L	文件：99.8 Kbytes Page：1 Pages	TO220PACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF3N100	文件：101.73 Kbytes Page：1 Pages	TO220FPACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF3N100	文件：296.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOTF3N100L	文件：101.73 Kbytes Page：1 Pages	TO220FPACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
DAM3N100L	文件：484.17 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
IXTA3N100P	文件：155.83 Kbytes Page：4 Pages	PolarVHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTA3N100P	文件：336.58 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH3N100	文件：322.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andAC-DCmotorcontrols	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH3N100P	文件：155.83 Kbytes Page：4 Pages	PolarVHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH3N100P	文件：336.58 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTP3N100P	文件：336.58 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTP3N100P	文件：155.83 Kbytes Page：4 Pages	PolarVHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
MTB3N100E	文件：285.58 Kbytes Page：11 Pages	HighEnergyPowerFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB3N100E	文件：262.24 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET3.0AMPERES1000VOLTS TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminations	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP3N100	文件：301.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SSP3N100供应商更新时间2024-6-17 19:09:00

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