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10065	文件：209.68 Kbytes Page：2 Pages	4oLEDOptic	ROITHNER Robyner Lasertechnik GmbH	ROITHNER
10065A	文件：64.4 Kbytes Page：3 Pages	10A竊?50VSiliconCarbideDiode	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
10065-C	文件：184.92 Kbytes Page：7 Pages	10065ExtremeCompatibleTransceiverSFP10/100/1000Base-T(RJ45,Copper,100m) Features ATGBICS10065SFPoperatesonstandardCategory5unshieldedtwisted-paircoppercablingoflinklengthsupto100m. Extreme1000BASE-TSFPmodulessupport10/100/1000autonegotiationandautoMDI/MDIX. OurproductmeetsthespecificationofExtreme10065=andweproudlyofferacompa	ATGBICS ATGBICS by Approved Technology	ATGBICS
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AE10065	文件：334.21 Kbytes Page：1 Pages	CHIP-CARRIERPLCCSOCKET	ASSMANNASSMANN WSW COMPONENTS ASSMANN WSW组件有限公司	ASSMANN
LFUSCD10065A	文件：565.36 Kbytes Page：4 Pages	Enhancedsurgecapability	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特富斯（Littelfuse）力特公司	Littelfuse
LPC10065	文件：82.81 Kbytes Page：4 Pages	PowerChipInductors4 PowerChipInductors TypeLPC10065 Scope ThisspecificationappliestoLPC10065powerchipinductorsproducedbyKOACorporation.	KOA KOA SPEER ELECTRONICS, INC.	KOA
LSD10065-XX	文件：295.65 Kbytes Page：7 Pages	LEDDisplaysNumeric7-segment	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
PTF10065	文件：94.88 Kbytes Page：6 Pages	30Watts,1.93-1.99GHzGOLDMOSFieldEffectTransistor Description ThePTF10065isa30–wattGOLDMOSFETintendedforPCSamplifierapplicationsfrom1.93to1.99GHz.Ittypicallyoperateswith11dBgain.Nitridesurfacepassivationandfullgoldmetallizationensureexcellentdevicelifetimeandreliability. •INTERNALLYMATCHED •GuaranteedPe	Ericsson Ericsson Microelectronics	Ericsson
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STPSC10065D	文件：395.95 Kbytes Page：13 Pages	650V,10AlowVFpowerSchottkysiliconcarbidediode Features •Noornegligiblereverserecovery •Switchingbehaviorindependentoftemperature •DedicatedtoPFCapplications •Highforwardsurgecapability •OperatingTjfrom-40°Cto175°C •D²PAKHVcreepagedistance(anodetocathode)=5.38mmmin. •ECOPACK2compliantcomponent	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STPSC10065DLF	文件：379.31 Kbytes Page：12 Pages	650V,10ApowerSchottkysiliconcarbidediode Features •Lessthan1mmheightpackage •Highcreepagepackage •Noornegligiblereverserecovery •Temperatureindependentswitchingbehavior •Highforwardsurgecapability •Verylowdropforwardvoltage •Powerefficientproduct •ECOPACK2compliantcomponent Description This10	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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更多SSP10065A供应商更新时间2024-4-11 18:15:00

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