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SSM6J412TU数据手册Toshiba中文资料规格书
SSM6J412TU规格书详情
描述 Description
Polarity:P-ch
Generation:U-MOSⅥ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国
特性 Features
Drain current ID -4 A
Power Dissipation PD 1 W
Drain-Source voltage VDSS -20 V
Gate-Source voltage VGSS +/-8 V
技术参数
- 制造商编号
:SSM6J412TU
- 生产厂家
:Toshiba
- Polarity
:P-ch
- VDSS(V)
:-20
- VGSS(V)
:+/-8
- ID(A)
:-4.0
- PD(W)
:1.0
- Ciss(pF)
:840
- Qg(nC)
:12.8
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
:0.0996
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
:0.0678
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
:0.0514
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
:0.0427
- Number of pins
:6
- Surface mount package
:Y
- Package name(Toshiba)
:UF6
- Generation
:U-MOSⅥ
- Width×Length×Height(mm)
:2.0 x 2.1 x 0.7
- Package Size(mm^2)
:4.20
- Drive voltage type
:Low Voltage Gate Drive
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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