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SSG6618	文件：384.86 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
SSG6618_15	文件：476.85 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
SSG6618-C	文件：286.13 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
A6618	文件：552.24 Kbytes Page：9 Pages	CMOSLOWDROPOUTREGULATOR(LDO)600mAADJUSTABLE,ULTRA-LOWNOISE,ULTRA-FAST DESCRIPTION A6618 seriesisagroupofpositivevoltageoutput, lowpowerconsumption,lowdropoutvoltage regulator. A6618 canprovideoutputvalueadjustablefrom0.8V to5.0V. A6618 includeshighaccuracyvoltagereference, erroramplifier,currentlimitcircuitandoutputdriver mod	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AP6618GM-HF	文件：100.58 Kbytes Page：4 Pages	LowOn-resistance,FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AWU6618	文件：872.94 Kbytes Page：10 Pages	HELP3EDual-bandIMT&EGSMWCDMA3.4VLinearPowerAmplifierModule	ANADIGICS ANADIGICS	ANADIGICS
CGA-6618	文件：323.83 Kbytes Page：5 Pages	DUALCATVBROADBANDHIGHLINEARITYGAASHBTAMPLIFIER ProductDescription StanfordMicrodevice’sCGA-6618isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesl	STANFORDStanford Microdevices Stanford Microdevices	STANFORD
CGA-6618	文件：297.61 Kbytes Page：8 Pages	DualCATV1MHzto1000MHzHighLinearityGaAsHBTAmplifier ProductDescription SirenzaMicrodevice’sCGA-6618isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesle	SIRENZASIRENZA 圆通微波上海圆通微波电子有限公司	SIRENZA
CGA-6618	文件：427.06 Kbytes Page：10 Pages	DUALCATV1MHzto1000MHzHIGHLINEARITYGaAsHBTAMPLIFIER ProductDescription RFMD’sCGA-6681(Z)isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesleakagecurren	RFMD RF Micro Devices	RFMD
CGA-6618Z	文件：427.06 Kbytes Page：10 Pages	DUALCATV1MHzto1000MHzHIGHLINEARITYGaAsHBTAMPLIFIER ProductDescription RFMD’sCGA-6681(Z)isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesleakagecurren	RFMD RF Micro Devices	RFMD
CGA-6618Z	文件：297.61 Kbytes Page：8 Pages	DualCATV1MHzto1000MHzHighLinearityGaAsHBTAmplifier ProductDescription SirenzaMicrodevice’sCGA-6618isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesle	SIRENZASIRENZA 圆通微波上海圆通微波电子有限公司	SIRENZA
GSC6618	文件：275.19 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
HM6618A	文件：2.14584 Mbytes Page：7 Pages	integratedUSBType-C	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM6618B	文件：2.14584 Mbytes Page：7 Pages	integratedUSBType-C	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IRF6618	文件：234.56 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheIRF6618combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6618	文件：230.62 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description TheIRF6609combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6618PBF	文件：240.91 Kbytes Page：8 Pages	DirectFET짰PowerMOSFET짰 Description TheIRF6618PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6618PBF	文件：250.25 Kbytes Page：9 Pages	IdealforCPUCoreDC-DCConverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6618TRPBF	文件：250.25 Kbytes Page：9 Pages	IdealforCPUCoreDC-DCConverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6618TRPBF	文件：240.91 Kbytes Page：8 Pages	DirectFET짰PowerMOSFET짰 Description TheIRF6618PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
SSG6618
制造商：
SECOS
制造商全称：
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市百视威讯电子科技有限公司	SSG6618		23+	N/A	36200	正品授权货源可靠	询价
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更多SSG6618供应商更新时间2024-5-14 13:00:00

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