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UC2715DTR

ComplementarySwitchFETDrivers

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

UC2715N

ComplementarySwitchFETDrivers

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

UPA2715GR

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2715GRisP-ChannelMOSFETdesignedfor powermanagementapplicationsofnotebookcomputers andLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=4.6mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−9.0A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−9.0A) •L

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPC2715

1.2GHzLOWPOWERCONSUMPTIONWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT

1.2GHzLOWPOWERCONSUMPTIONWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Lowpowerconsumption:15mW(VCC=3.4V,ICC=4.5mA)TYP. •Highpowergain:19dBTYP.@f=0.5GHz •Excellentfrequencyresponse:1.2GHzTYP.@3dBdownbelowthega

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

UPC2715T

BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES •Lowpowerconsumption:15mW(VCC=3.4V,ICC=4.5mA)TYP. •Highpowergain:19dBTYP.@f=0.5GHz •Excellentfrequencyresponse:1.2GHzTYP.@3dBdownbelowthegainat0.1GHz •Inputandoutputmatching:50: •Supersmallpackage:6pinminimold

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPC2715T

1.2GHzLOWPOWERCONSUMPTIONWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT

1.2GHzLOWPOWERCONSUMPTIONWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Lowpowerconsumption:15mW(VCC=3.4V,ICC=4.5mA)TYP. •Highpowergain:19dBTYP.@f=0.5GHz •Excellentfrequencyresponse:1.2GHzTYP.@3dBdownbelowthega

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

UPC2715T

LOWPOWERCONSUMPTIONSILICONMMICAMPLIFIER

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

详细参数

  • 型号:

    SSF2715

  • 制造商:

    SILIKRON

  • 制造商全称:

    SILIKRON

  • 功能描述:

    Extremely high dv/dt capability

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SILIKRON/芯科
23+
SOP8
50000
全新原装正品现货,支持订货
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全新原装正品现货,支持订货
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TSSOP8
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原装现货假一罚十
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只做全新原装进口现货
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更多SSF2715供应商 更新时间2025-7-20 13:01:00