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SSF2341EU	文件：1.35361 Mbytes Page：7 Pages	Advanced MOSFET process technology Features and Benefits:  Advanced MOSFET process technology  Special designed for PWM, load switching and general purpose applications  Ultra low on-resistance with low gate charge  Fast switching and reverse body recovery  150℃ operating temperature Description: It utilizes the lat 文件：1.35361 Mbytes 页数：7 Pages	SILIKRON 新硅能微电子	SILIKRON
SSF2341E	文件：1.03879 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：1.03879 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SSF2341E	文件：1.09918 Mbytes Page：7 Pages	20V P-Channel MOSFET 文件：1.09918 Mbytes 页数：7 Pages	Good-Ark 固锝电子	Good-Ark
SSF2341E	文件：408.59 Kbytes Page：5 Pages	Battery protection 文件：408.59 Kbytes 页数：5 Pages	SILIKRON 新硅能微电子	SILIKRON
SSF2341E_15	文件：1.09918 Mbytes Page：7 Pages	20V P-Channel MOSFET 文件：1.09918 Mbytes 页数：7 Pages	Good-Ark 固锝电子	Good-Ark
SSF2341E_17	文件：541.46 Kbytes Page：8 Pages	Advanced MOSFET process technology 文件：541.46 Kbytes 页数：8 Pages	Semikron 赛米控丹佛斯	Semikron
SSF2341E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced MOSFET process technology	Semikron-DANFOSS 赛米控丹佛斯	Semikron-DANFOSS
SSF2341EU	文件：300 bytes Page：1 Pages	中低压MOSFET	GOOD-ARK 固锝电子	GOOD-ARK
SSF2341EU	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Silikron 新硅能微电子	Silikron

技术参数

Package：
SOT-23
Status：
Active
Configuration：
Single_P
VDS(V)：
-20
Id(A)：
-4
VGS(th)(min V)：
-0.3
VGS(th)(max V)：
-0.9
Rdson@ 4.5V(mΩ) Typ：
31
Rdson@ 4.5V(mΩ) Max：
38
Ciss(pF)：
837
Coss(pF)：
117
Crss(pF)：
86
Qg(nC)：
9.8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SSF2341供应商更新时间2025-11-1 14:01:00

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