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SS9013H	文件：40.08 Kbytes Page：4 Pages	1W Output Amplifier of Potable Radios in Class B Push-pull Operation. 1WOutputAmplifierofPotableRadiosinClassBPush-pullOperation. •Hightotalpowerdissipation.(PT=625mW) •HighCollectorCurrent.(IC=500mA) •ComplementarytoSS9012 •ExcellenthFElinearity.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SS9013HBU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SS9013HTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ST9013	文件：242.9 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications.EspeciallysuitableforAF-driverstagesandlowpoweroutputstages. Thetransistorissubdividedintothreegroups,G,HandI,accordingtoitsDCcurrentgain.AscomplementarytypethePNPtransistor9012isrecommended.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
STC9013N	文件：248.34 Kbytes Page：4 Pages	EpitaxialplanarNPNsilicontransistor Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •ExcellenthFElinearity •ComplementarypairwithSTA9012N	AUK AUK corp	AUK
STC9013SF	文件：262.27 Kbytes Page：4 Pages	EpitaxialplanarNPNsilicontransistor Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •ExcellenthFElinearity •ComplementarypairwithSTA9012SF	AUK AUK corp	AUK
STS9013	文件：202.76 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STS9013	文件：202.76 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeapplication. •Switchingapplication. Features •ExcellenthFElinearity. •ComplementarypairwithSTS9012	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STS9013	文件：87.63 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor	AUK AUK corp	AUK
TEC9013	文件：76.66 Kbytes Page：2 Pages	SILICONNPNEPITAXIALTYPE(PCTPROCESS) AUDIOPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS. FEATURES .HighhpE=hFE=96-300 .1WattsAmplifierApplications .ComplementarytoTEC9012	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
SS9013H
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP/40V/0.5A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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