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SS12T	文件：1.13685 Mbytes Page：3 Pages	1.0AMP. Low VF Schottky Barrier Rectifiers Features Electrostaticdischarge(ESD)testunderIEC6100-4-2 standard>16ΚV(SS12AL~SS16AL). standard>10ΚV(SS110AL~SS120AL). Lowprofilesurfacemountedapplicationinorderto optimizeboardspace. Lowpowerloss,highefficiency. Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop. Ultra	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SS12T	文件：47.92 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
SS12T3	文件：115.51 Kbytes Page：5 Pages	Marking：SS12；Package：SMB；Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts PowerMOSFET170mAmps,100Volts N−ChannelSOT−23 Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SS12T3	文件：63.45 Kbytes Page：4 Pages	Marking：SS12；Package：SMB；Surface Mount Schottky Power Rectifier SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SMAPowerSurfaceMountPackage ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedfor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SS12T3	文件：64.31 Kbytes Page：4 Pages	Marking：SS12；Package：SMB；Surface Mount Schottky Power Rectifier Description TheSS12−S100seriesincludeshigh−efficiency,lowpowerloss,general−proposeschottkyrectifiers.Theclip−bondedlegstructureprovideshighthermalperformanceandlowelectricalresistance.Theserectifiersaresuitedforfreewheeling,secondaryrectification,andreversepolar	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SS12T3	文件：58.16 Kbytes Page：4 Pages	Marking：SS12；Package：SMB；Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts PowerMOSFET170mAmps,100Volts N−ChannelSOT−23 Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SS12T3G	文件：63.45 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SMAPowerSurfaceMountPackage ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedfor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SS12T3G	文件：64.31 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Description TheSS12−S100seriesincludeshigh−efficiency,lowpowerloss,general−proposeschottkyrectifiers.Theclip−bondedlegstructureprovideshighthermalperformanceandlowelectricalresistance.Theserectifiersaresuitedforfreewheeling,secondaryrectification,andreversepolar	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SS12T3	文件：131.7 Kbytes Page：5 Pages	Marking：SS12；Package：SMB；12 V, 4.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SS12T3	文件：63.31 Kbytes Page：6 Pages	Marking：SS12；Package：SMB；12 V, 3 A, Low VCE(sat) PNP Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
SS12T
制造商：
PanJit Semiconductor
功能描述：
RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,20V V(RRM),DO-214AC/SMA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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