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SRC1211M	文件：156.41 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Transistor Descriptions • Switching application • Interface circuit and driver circuit application Features • With built-in bias resistors • Simplify circuit design • Reduce a quantity of parts and manufacturing process • High packing density 文件：156.41 Kbytes 页数：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
SRC1211M	文件：156.41 Kbytes Page：4 Pages	Switching application 文件：156.41 Kbytes 页数：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
SRC1211M	文件：300 bytes Page：1 Pages	Digital Transistors	Kodenshi-AUK	Kodenshi-AUK
SRC1211N	文件：207.65 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor Descriptions • Switching application • Interface circuit and driver circuit application Features • With built-in bias resistor • Simplify circuit design • Reduce a quantity of parts and manufacturing process • Complementary pair with SRA2211N 文件：207.65 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
SRC1211S	文件：46.44 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Transistor Descriptions • Switching application • Interface circuit and driver circuit application Features • With built-in bias resistors • Simplify circuit design • Reduce a quantity of parts and manufacturing process • High packing density 文件：46.44 Kbytes 页数：2 Pages	AUK	AUK
SRC1211S	文件：243.86 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Transistor Descriptions • Switching application • Interface circuit and driver circuit application Features • With built-in bias resistors • Simplify circuit design • Reduce a quantity of parts and manufacturing process • High packing density 文件：243.86 Kbytes 页数：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI

技术参数

Classifacation：
Single type
Device Type：
NPN SINGLE
R1 [KΩ]：
10
VO [V]：
50
IO[mA]：
100
PD [㎽]：
400
G1[hFE]_Min：
120
G1[hFE]_VO [V]：
5
G1[hFE]_IO[mA]：
1

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更多SRC1211M供应商更新时间2025-10-5 16:01:00

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