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SR5A60F-G | Schottky Barrier Rectifiers | COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司 | COMCHIP | |
SchottkyBarrierRectifiers | COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司 | COMCHIP | ||
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
SwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=1.2Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=3.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancement-mode:Vth=2.4to4.4V(VDS=10V,ID=1mA) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.43Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
SwitchingVoltageRegulators | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
详细参数
- 型号：
SR5A60F-G
- 制造商：
COMCHIP
- 制造商全称：
Comchip Technology
- 功能描述：
Schottky Barrier Rectifiers
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DDIP3 |
3200 |
原装长期供货! |
询价 | ||||
SAPS电源模块 |
25+23+ |
DDIP3 |
41417 |
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60000 |
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ST |
2425 |
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ST/意法半导体 |
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原厂封装 |
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ST/意法半导体 |
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原厂封装 |
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N/A |
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