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STC201F	文件：392.2 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highcurrentapplication Features •HighhFE:hFE=160~320 •Lowcollectorsaturationvoltage :VCE(sat)=0.5V(MAX.)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STC201F	文件：392.2 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconTransistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STM201N	文件：186.17 Kbytes Page：7 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STM201N	文件：1.34852 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
STM201N	文件：469.9 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •HighFrequencyBoostConverter •LEDBacklightforLCDTV	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SUF201A	文件：236.81 Kbytes Page：2 Pages	2.0AMPSurfaceMountSuperFastRecoveryRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SUF201AM	文件：226.09 Kbytes Page：2 Pages	Voltage50~600V2.0AmpSurfaceMountSuperFastRecoveryRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SUF201B	文件：203.44 Kbytes Page：2 Pages	2.0AMPSurfaceMountSuperFastRecoveryRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SUF201JD	文件：169.18 Kbytes Page：2 Pages	Voltage50~600V,2.0AmpSurfaceMountSuperFastRecoveryRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SUM201MN	文件：425.72 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelMOSFETPNPBJT	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI

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