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SQD19P06-60L-GE3

isc P-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Drain Source Voltage : VDSS= -60V(Min) ·Low RDS(ON) ·Fast Switching Speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for Switched Mode Power Supplies (SMPS), motor control,welding, and in general purpose sw

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ISC

无锡固电

SQD19P06-60L-GE3

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

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Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET

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SQD25N06-22L-GE3

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更多SQD19P06-60L-GE3供应商 更新时间2025-10-3 22:59:00