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SPW24N60CFD	文件：684.54 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOS Power Transistor Features •Intrinsicfast-recoverybodydiode •Extremelylowreverserecoverycharge •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC1) •CoolMOSCFDdesignedfor •SoftswitchingPWMStages •LCD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPW24N60CFD	文件：335.35 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤185mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
DAM24N60C	文件：281.56 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
FIR24N60ANG	文件：2.88047 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FQA24N60	文件：633.85 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA24N60	文件：363.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=23.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPP24N60CFD	文件：338.98 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.185Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPW24N60CFD	文件：335.35 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤185mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFA24N60X	文件：160.68 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFA24N60X	文件：299.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH24N60X	文件：383.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH24N60X	文件：160.68 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFP24N60X	文件：160.68 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFP24N60X	文件：295.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFQ24N60X	文件：160.68 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFQ24N60X	文件：302.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXGA24N60C	文件：100.03 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBTLightspeedSeries	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH24N60A	文件：45.54 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT HiPerFAST™IGBTwithDiodeCombiPack Features lInternationalstandardpackagesJEDECTO-247SMDsurfacemountableandJEDECTO-247AD lIGBTandanti-parallelFREDinonepackage l2ndgenerationHDMOSTMprocess lLowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses lM	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH24N60B	文件：67.73 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFASTIGBT Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-247AD •HighfrequencyIGBT •Highcurrenthandlingcapability •3rdgenerationHDMOS™process •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH24N60B	文件：139.15 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFASTIGBT Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-247AD •HighfrequencyIGBT •Highcurrenthandlingcapability •3rdgenerationHDMOS™process •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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详细参数

型号：
SPW24N60CFD
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 650V 21.7A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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