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SPT50N65F1A1	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT	SPTECH 质超微	SPTECH
GW50N65F1A	文件：1.43929 Mbytes Page：8 Pages	650V /50A Trench Field Stop IGBT FEATURES •650V 50A,VCE(sat)(typ.) = 1.80 V@50A• High breakdown voltage up to 650V for improved reliability• Trench-Stop Technology offering :➢ High speed switching➢ High ruggedness, temperature stable➢ Short circuit withstand time – 5s➢ Low VCEsat➢ Easy parallel switching capability due to posit 文件：1.43929 Mbytes 页数：8 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
SPU04N60C3	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-251-3	Infineon 英飞凌上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	Infineon
SPUD-001T-P0.5	文件：0 bytes Page：0 Pages	CONN	JST JST集团上传：深圳市艾泽电子有限公司	JST
SPUD-001T-P0.5	文件：0 bytes Page：0 Pages	NA	JST/日压上传：深圳市恒佳微电子有限公司	JST/日压

技术参数

IC(A)：
50
Vceo(V)：
650
封装：
TO247
备注：
对应英飞凌产品型号：IKW50N65H5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SPT50N65F1A供应商更新时间2025-11-1 15:01:00

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